MESEPE金属半导体场效应晶体管(HEMT)或低电子迁移率_LB彩票平台

发布时间:2020-11-28    来源:LB彩票平台官方 nbsp;   浏览:89239次
本文摘要:砷化镓元件高频、高功率、高效率、低噪音指数的电学特性远远超过硅元件、贫宫型砷化镓场效应晶体管(MESFET)或低电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3V电压操纵器上降低80%的功率效率(PAE)。

化合物

半导体材料可分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体是指由硅、锗单一元素组成的半导体,化合物是指由砷化镓、磷化、铟等化合物组成的半导体。砷化镓的电子移动速度比硅低5.7倍,适合用作高频电路。

电子

砷化镓元件高频、高功率、高效率、低噪音指数的电学特性远远超过硅元件、贫宫型砷化镓场效应晶体管(MESFET)或低电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3V电压操纵器上降低80%的功率效率(PAE)。砷化镓元素的电子迁移率远低于硅,因此使用类似的工艺,初期演化为MESEPE金属半导体场效应晶体管(HEMT),接口突发性事件型低电子移动晶体管(pHEMT)现演化为异质接口异载晶体管(HBT)。

电子

异质的双接近晶体管(HBT)是需要承功率的非消耗性镓组件,其功率密度(powerdensity)、电流扩展能力(currentdrivecapability)和线性(linearity)最大为FET适用于射频及中频传输模块的开发,特别是微波信号源及低线性放大器等。


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